مطالعه اصول اولیه گرافن فلوئوردارشده

اگر چه عدم وجود یک شکاف باند باعث ممانعت از کاربردهای گرافن در دستگاههای میکرو الکترونیک است، ولی یک شکاف باند مناسب را میتوان با عامل دار کردن شیمیایی گرافن طراحی کرد. ما اصول اولیه محاسبات نانوساختارهای دوبعدی مربوط به گرافن که با فلوئور عامل دار شده است را در ساختار صندلی بیان میکنیم. سایر مطالعات به طور عمده روی موارد عامل دار کردن %100 و 50% توسط هیدروژن متمرکز بودهاند، بنابراین، انجام تحقیق کامل تری، برای تغییر در خواص الکترونی و ساختاری، با توجه به عامل دار کردن، مطلوب به نظر میرسید، به همین علت ما تعداد اتمهای اضافه شده را یک به یک افزایش دادهایم. چگالی نسبی حالات، ساختار نواری و انرژی اتصال را در چارچوب نظریه تابع چگالی محاسبه کرده و توسط نرم افزار siesta شبیه سازی کرده ایم. همچنین تغییرات در طول باند C-F و C-C را مورد بررسی قرار داده ایم. همانطور که تعداد اتمهای اضافی (فلوئور) افزایش مییابند، تغییرات در شکاف باند در اطراف انرژی فرمی مشاهده میشود، و در نتیجه رفتار نانوساختار از هادی به نیمه هادی / عایق تغییر پیدا میکند. همچنین واضح است که امکان تنظیم خواص الکترونیکی گرافن عاملدار، به نحوی که به یک ماده مناسب در میکروالکترونیک تبدیل شود، وجود دارد.

کلیدواژه ها:

ساختارباند ، سیستا ، چگالی الکترونیکی حالات ، گرافن ، نظریه تابع چگالی