بررسی تاثیر انحراف از معیار پروفایل رشد هم بافته کانال بر ولتاژ آستانه IEMOSFET
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 462
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAECE02_131
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور کاشت-رشد هم بافته ماسفت IEMOSFET مبتنی بر تکنولوژی SiC شبیه سازی و تحلیل شده است. تاثیر پروفایل رشد هم بافته کانال بر ولتاژ آستانه ترانزیستور بررسی خواهد شد. در واقع تاثیر پارامتر انحراف از معیار پروفایل گوسین تراکم ناخالصی کانال بر منحنی جریان درین-ولتاژ گیت و ولتاژ آستانه ترانزیستور را بررسی خواهیم کرد. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که با افزایش پارامتر انحراف از معیار پروفایل ناخالصی کانال، میزان نفوذ کانال به درون زیرلایه بیشتر شده، مقاومت کانال کاهش یافته و در نتیجه جریان درین افزایش مییابد. در واقع با افزایش پارامتر انحراف از معیار پروفایل گوسین تراکم ناخالصی لایه هم بافته کانال، تراکم ناخالصی کانال افزایش یافته که در نتیجه ولتاژ آستانه کاهش خواهد یافت
کلیدواژه ها:
ترانزیستور کاشت-رشد همبافته ماسفت ، تراکم ناخالصی کانال ، پارامتر انحراف از معیار ، پروفایل گوسین ، ولتاژ آستانه
نویسندگان
محمد اسمعیل زارع داویجانی
دانشجوی دکتری الکترونیک گروه برق واحد گرمسار دانشگاه آزاد اسلامی گرمسار ایران
عبدالله عباسی
گروه برق واحد گرمسار دانشگاه آزاد اسلامی گرمسار ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :