باندهای ممنوعه ی همه سویه در یک نانو بلور فوتونیک دیالکتریک - فلز - نیمرسانای یک بعدی سه لایه ای

در این مقاله انتشار امواج الکترومغناطیس از یک نانو بلور فوتونیک یک بعدی که سلول واحد آن از سه لایه ی مختلف دیالکتریک، فلز و نیمرسانا تشکیل شده است را به کمک روش ماتریس مشخصه، بررسی کرده و اثر زاویه ی تابش بر پهنای باندهای ممنوعه را مورد مطالعه قرارداده و نتایج را با نتایج بدست آمده برای نانو بلور فوتونیک دیالکتریک – نیمرسانای یک بعدی دو لایه ای مقایسه میکنیم. نتایج نشان میدهد که با افزودن یک لایه ی فلز به سلول واحد بلور باندهای ممنوعه و میزان تراگسیل دچار تغییراتی خواهد شد. همچنین در این حالت نسبت به حالت دو لایه ای درنظر گرفته شده، باندهای ممنوعه در طول موجهای پایینتری پدیدار میشود. علاوه بر آن مشاهده گردید که نانو ساختارهای یک بعدی دو و سه لایه ای مفروض، در محدوده هایی از طول موجها میتوانند به طور کامل امواج الکترومغناطیس را بازتاب نمایند. بنابراین یک چنین ساختاری نسبت به بلور فوتونیک یک بعدی دو لایه ای، به عنوان یک بازتابنده ی کامل امواج الکترومغناطیس در یک محدوده ی معین از طول موج و برای تمام زوایای تابشی، بهتر عمل میکند.

کلیدواژه ها:

بلور فوتونیک ، باند ممنوعه ، دی الکتریک ، فلز ، نیم رسانا