مهندسی باند ممنوعه در شبه کریستال های فوتونیکی دو بعدی با تقارن هشت تایی

شبه کریستال های فوتونیک یکلاس وییه ای از کریستال های نامنظم و غیرپریودیک هستند که شامل یک یا چندین مواد دی الکتریک منظم شده در الگوی شبه پریودیکی هستند که می توانند شامل باند های ممنوعه ی فوتونیکی باشند در این مقاله شبه کریستال فوتئنیکی دو بعدی با تقارن هشت تایی ایجاد شده و در دو حالت که در هر حالت یکبار شعاع سول ها تغییر داده شده ویکبار ضریب شکست مواد دی الکتریک بکار رفته در ساختار تغییر داده شده است و با تعیین SUPRRCELL ساختار های باندمربوط به آنها استخراج شده است نتایج شبیه سازیها نشان می دهد که با تغییر شعاع سلول ها و ضرایب شکست موادی الکتریک ساختار هم پهنای باندهای ممنوعه و هم تداد آنها در ساختار شبه کریستالی تغییر پذیر است که با کنترل این پرامترها می توان با کنترل انتشار نور و متمرکز کردن آن در بازه ای از طول موج ها از چنین ساختارهایی برای سیستم های مخابرات نوری که لازمه آن تعیین محدوده عملکرد است استفاده کرد.

کلیدواژه ها:

شبه کریستال فوتونیکی باند ممنوعه ی فوتوتیکی ، سلول واحد ، شبه پریودیک ، دی الکتریک