شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ
محل انتشار: اولین همایش ملی نانو تکنولوژی مزایا و کاربردها
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,828
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOO01_199
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از نرم افزار (TAK) Atomistix toolkit 12.8.2 به شبیه سازی و بررسی ترانزیستورهای ambipilar اثر میدان نانونوار گرافنی با فرم زیگزاگ آرمیچر زیگزاگ (ZAZ) می پردازیم تاثیر پارامترهای مختلف ساختار نانونوارگرافنی بر مشخصات ترانزیستورهای ambipolar بررسی می شود نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستور یکی از پارامترهای مهم در کاربردهای سئوچ کردن است بنابراین در این مقاله ما روشهای مختلف بهبود را بررسی می کنیم همچنین با ارائه ی کی روش جدید نشان می دهیم که می توان این نسبت را تا حد زیادی بهبود داد شبیه سازی های نشان می دهند می توان به دست یافت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :