بررسی مشخصههای الکتریکی نانو ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند نامتجانس Ge SixGe1-x- با ساختارگیت دو مادهای

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 552

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOQODS01_009

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396

چکیده مقاله:

از مشکلات مهم در روند کوچک سازی ترانزیستورMOSFET کنونی در ابعاد نانو، وجود ناحیه تخلیه شده ناشی از پیوند PN در فصل مشترک سورس و درین با کانال میباشد که موجب کاهش کنترل گیت بر کانال وافزایش جریان نشتی افزاره میگردد. ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند به عنوان یک ساختار جایگزین ترانزیستورهای کنونی معرفی گردیده است. برای عملکرد NMOS افزاره بدون پیوند، آلایش میباشد. مشابه ترانزیستور اثر میدانی کنونی، حداقل سویینگ زیر آستانه برای این افزاره dec/60mV + سورس، کانال و درین از نوع Nمیباشد[1 .[ترانزیستور تونلی بدون پیوند از هر دو مزایای ترانزیستورهای تونلی و بدون پیوند استفاده کرده و ضمن استفاده از یک نوع آلایش برای سورس، کانال و درین موجب افزایش سرعت کلیدزنی افزاره میگردد. در این مقاله مشخصههای الکتریکی ترانزیستور NMOSx -با ساختار گیت دو مادهای مورد بررسی قرار خواهد گرفت. ساز و کار اصلی جریان در این افزاره تونلی بدون پیوند نامتجانس GeSixGe1- تونلزنی نوار به نوار حاملها از سورس به کانال میباشد. در ساختار گیت دو مادهای، از دو گیت با تابع کار متفاوت بر روی کانال استفاده گردیده است به گونهای که تابع کار گیت در فصل مشترک سورس با کانال طوری تنظیم شده است که موجب افزایش احتمال تونلزنی و کاهش سویینگ زیر آستانه گردد. سورس از نوع x-SixGe1 ،درین و کانال از نوع ژرمانیوم میباشند. درصد مولیژرمانیوم (x (2/0 است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

امید فولادی کاخکی

دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ، تهران، ایران

زهرا آهنگری

استادیار، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری،تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Colinge, J.P., Lee, C.W., Afzalian, A., Akhavan, N.D., Yan, R., ...
  • Ghosh, B. and Akram, M.W., 2013. Junctionless tunnel field effect ...
  • نمایش کامل مراجع