بررسی مشخصههای الکتریکی نانو ترانزیستور اثر میدان تونلی نامتقارن با پیوند ناهمگون Ge-GaAs
محل انتشار: اولین همایش ملی فناوری نانو
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 473
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOQODS01_048
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396
چکیده مقاله:
در ترانزیستور اثر میدانی متداول،MOSFET ،ولتاژ گیت ارتفاع یک سد حرارتی در فصل مشترک سورس با کانال را تغییر داده و حاملها با سازوکار رانش و نفوذ از سورس به درین جریان مییابند. حداقل میزان سویینگ زیر آستانه برای دستیابی به سرعت کلید زنی بالا در ترانزیستورهای اثر میدانی dec/60mV میباشد. به دلیل سازوکار متفاوت جریان در ترانزیستور تونلی، سویینگ زیر آستانه میتواند کمتر از dec/60mV گردد و سرعت کلیدزنی به طور قابل توجهی بهبود یابد [1 .[ترانزیستور تونلی متداول (PMOS(NMOS دارای ساختار(NiP(PiN است و به دلیل آلایش متفاوت سورس، کانال و درین به لحاظ فرایند ساخت پیچیده میباشد. بر این اساس، ترانزیستور تونلی متداول نیاز به سه مرحله کاشت یونی دارد. در این مقاله نسل جدیدی از ترانزیستور تونلی تحت عنوان ترانزیستور تونلی نامتقارن [2 [معرفی گردیده است که به لحاظ فرایند ساخت سادهتر از ترانزیستور تونلی متداول میباشد. در این افزاره برخلاف ساختار تونلی متداول، سورس و کانال دارای آلایش یکسانی بوده و با آلایش درین متفاوت میباشند. همچنین برای افزایش احتمال تونلزنی از سورس به کانال و افزایش جریان حالت روشن، از ساختار ناهمگون GaAs-Ge استفاده گردیده است. به دلیل بکارگیری ژرمانیوم با شکاف انرژی کوچک در سورس، احتمال تونلزنی از سورس به کانال افزایش مییابد. از طرفی شکاف انرژی بزرگ ماده کانال، GaAs ،موجب کاهش جریان نشتی افزاره میگردد . در این مقاله اثر پارامترهای ساختاری بر عملکرد این افزاره در ابعاد نانو مورد بررسی قرار خواهد گرفت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مصطفی بابانیا
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، تهران، ایران
زهرا آهنگری
استادیار، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :