بررسی اسکایتون های غیر مستقیم در تله های الکترواستاتیکی نانو ساختار های GaN
محل انتشار: پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,747
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_026
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
چکیده مقاله:
ابتدا با محاسبات عددی مقادیر انرژی بستگی اکسایتون ها در ساختارهای کوانتومی مختلف را محاسبه کرده و اثرات پارامترهای مختلف ساختاری را روی انرژی بستگی بررسی کرده ایم. سپس اثرات تله های الکترواستاتیکی را در نظر گرفته و طول عمر تله ها و اندرکنش با اکسایتون ها را برای پارامترهای فیزیکی مختلف محاسبه کرده ایم، این محاسبات نشان می دهد که با توجه به موقعیت چاه کوانتومی در ساختار، طول عمر تله های الکترواستاتیکی با افزایش عرض چاه ها کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سارا صفا
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :