سنتز اصلاح نقطه کوانتومی CdSe و بررسی رفتار نوری غیر خطی به روش روبش -Z در مقایسه با نقطه کوانتومی هسته - پوسته CdSe/ZnS
محل انتشار: پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,125
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_217
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
چکیده مقاله:
از مهمترین عوامل جهت پایدار کردن نقطه کوانتومی ها در مقابل رنگ بری نوری و افزایش طول عمر نشر و توزیع اندازه ایی باریک آنها انتخاب روش مناسب تولید، نسبت مولی مناسب، کنترل سرعت واکنش و شرایط دمایی مطلوب می باشد. با روش آلی- فلزی دما بالا و نسبت مولی Cd/Se=0.53 در دمای 290 درجه سانتی گراد و 360 درجه سانتی گراد نقطه کوانتومی های CdSe حاصل شده اند که نتایج طیف uv-vis و HNMR بیانگر توزیع اندازه ایی باریک و پایداری نقطه کوانتومی ها که نتیجه ایی از جذب مناسب لیگاندهای TOPO/TOP روی سطح نقطه کوانتومی و بسته شدن پیوندهای غیر اشباع روی سطح آنها می باشد را بیان می کند. همچنین ضریب شکست غیر خطی مرتبه دوم نقطه کوانتومی CdSe و CdSe/ZnS با روش روبش Z- در سه شدت 15، 25 ، 50 میلی وات منفی و از مرتبه (در متن اصلی موجود می باشد) می باشد که بیانگر رفتار خود واگرایی است و در نقطه کوانتومی هسته – پوسته CdSe/Zn به علت جایگزیدگی الکترون ها رفتار غیر خطی در شدت پایین مشاهده نشده است.
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :