تأثیر ویژگیهای CNTFET بر جریان های عبوری ازکانال آن

در این مقاله رسانایی کوانتیده ی نانولوله را با در نظر گرفتن آن به صورت یک سیم کوانتومی بررسی کرده ایم. این کار را با توجه به مقاومت های تماسی و جریان عبوری از کانال ترانزیستور و براساس احتمال عبور حامل ها از کانال CNTFET انجام داده و در آن از روش لاندائو بوتینگر استفاده نموده ایم.در این کار موفق شدیم ضریب عبور جریان از کانا ل را در کلیه ی دماها بدست آوردیم نتایج بدست آمده نشان می دهد که تغییرات جریان عبوری از کانال CNT شدیداً به ویژگیهای ساختاری کانال، ولتاژ اعمالی و نوع تماس وابسته است.