مقایسه خواص تشعشعی ساختارهای نانومقیاس سیلیکون تقویت شده با یونهای دهنده در غلظتهای متفاوت

مطالعه سطوح پوشیده شده با فیلمهای نازک از اهمیت بسزایی برخوردار می باشد دراین مقاله سیلیکون تقویت شده با یونهای دهنده و غلظتهای متفاوت با پوشش دی اکسید سیلیکون مورد بررسی گردید و نتایج مقایسه شد. ضخامت سیلیکون 700 μm و ضخامت پوشش دی اکسید سیلیکون 65.3nm می باشد اشعه ورودی به صورت قائم می تابد دمای لایه ها 944درجه سانتی گراد در نظر گرفته شد. نتایج نشان داد که افزایش غلظت، منجر به کاهش جزئی در ضریب بازتاب و افزایش جزئی در ضریب صدور می گردد لذا اثر غلظت در دماهای بالا برروی خواص تشعشعی کم می باشد در طیف مادون قرمز برای طول موج بزرگتر از 10 μm ضریب صدور به مقدار 0.67 می رسد هرگاه دما افزایش یاد تفرق شبکه به علت افزایش غلظت فوتونها پدیده غالب می شود و در دماهای بالا از اهمیت تفرق توسط یونها کاسته می شود زیرا در دماهای بالا حاملان انرژی سریعتر حرکت کرده و نیروی کولمب بین انها کاهش می یابد برای دمای بالاتر از 600 k زمان پراکندگی برای غلظت های متفاوت یکسان می باشد.

کلیدواژه ها:

سیلیکون تقویت شده ، غلظت ، پوشش ، نانومقیاس ، ضریب بازتاب ، ضریب صدور