طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL
محل انتشار: نخستین همایش ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 645
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEE01_048
تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL واثر خودگرمایی می باشد
کلیدواژه ها:
اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet – DIBL
نویسندگان
صمد قلندری
کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش احمدی
استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :