طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 645

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCAEE01_048

تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL واثر خودگرمایی می باشد

کلیدواژه ها:

اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet – DIBL

نویسندگان

صمد قلندری

کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

آرش احمدی

استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Colinge, J.P .(2004) , :Silicon on Insulator T echnology :Materials ...
  • Kumar, M.J., Orouji, A.A. (2005), _ -dimensional analytical threshold voltage ...
  • Chaudhry, A. , Kumar, M.J. (2004), "Controlling short-channel effects in ...
  • M.Braccioli, G.Curatola, Y.Yang, E.Sangiorgi, C.iegna, "Simulation of self-heating effects in ...
  • C. F.-Beranger, S. Denorme, P. Perreau, C. Buj, O. Faynot, ...
  • A. Chaudhry and M. Jagadesh Kumar, "Controlling Short-Channel Effects in ...
  • J.P.colinge, "Silicon On Insulator technology: materials to VLSI", 3rd edition, ...
  • User munual for ISE TCAD. ...
  • H.Ghanatian, M.Fathipour and H.Talebi, "Nanoscale Ultra Thin Body- Silicon-O n-Insulator ...
  • T. Tsuchiya, Y. sato and m Tomizawa, "Three Mechanisms Determining ...
  • نمایش کامل مراجع