مقایسه خواص تشعشعی نانوپوششها درساختارهای چندلایه ای درطیف مرئی به روش غیرهمدوس

اطلاع از خواص تشعشعی لایه های بسیار نازک متناوب نیمه هادیها، کاربردهای زیادی در صنایع میکروالکترونیک، تبدیل انرژی و نانوفناوری دارند. در این مقاله زیر لایه سیلیکون با دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون پوشش داده شده است. ضخامت زیر لایه سیلیکون 500 و دما ºC25 می باشد. در این کار محدوده طول موج مرئی مورد بررسی قرار گرفته است و از فرمولاسیون غیر چسبنده و سیلیکون تقویت شده استفاده شده است. ضخامت پوشش دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون 400 می باشد. نتایج نشان داد که ضریب صدور میانگین پوشش نیترید سیلیکون از ضریب صدور میانگین دی اکسید سیلیکون کوچکتر می باشد. و نیز ضریب بازتاب میانگین برای پوشش نیترید سیلیکون از ضریب بازتاب میانگین پوشش دی اکسید سیلیکون بیشتر است. که این امر برای هر دو نوع یون دهنده و گیرنده مشابه است. ولی یون دهنده دارای ضریب صدور بزرگتر و ضریب بازتاب کوچکتر از یون گیرنده می باشد.

کلیدواژه ها:

نیمه هادی ، دی اکسید سیلیکون ، نیترید سیلیکون ، یون دهنده ، یون گیرنده