شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی
محل انتشار: ششمین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 349
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE06_141
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1397
چکیده مقاله:
در ادامه روند کوچک سازی ابعاد ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیم رسانای سیلیکونی و نزدیک شده به محدودیت های تکنولوژی سیلیکون، پیشنهادهای جدیدی جهت جایگزینی آن مطرح شده اند. ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی از جمله کاندیدای بلوک اصلی قطعات در آینده نانوالکترونیک هستند. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی و انواع آن از لحاظ ساختار و عملکرد بررسی می شود و شرح مقایسه ای از آن ها ارایه می گردد. سپس اثر مشخصات نانولوله کربنی به کار رفته در ساختار ترانزیستور بر مشخصات جریان – ولتاژ آن مورد مطالعه قرار می گیرد و در انتها نتایج تحقیق ارایه می گردد.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور اثر میدان فلز اکسید نیم رسانا ، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، مشخصات جریان – ولتاژ ، نانولوله کربنی
نویسندگان
طاهره رادسر
گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران
حسن خالصی
گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران