یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 482

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCNNN01_008

تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1396

چکیده مقاله:

از آنجایی که اتلاف توان پویا در CMOS متناسب با 2Vdd است، عملکرد ولتاژ پایین مدار یک مسیله مهم میباشد. در این مقاله، یک XOR جدید ولتاژ پایین پیشنهاد شده است که با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET ) پیاده سازی شده است. XOR پیشنهادی میتواند در مدارات جمع کننده استفاده شود. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم و سویینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم 0.8 Vdd= V میباشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی 32nm CMOS و 32nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلا شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان میدهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر و حاصلضرب تاخیر در توان( PDP ) کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد.

کلیدواژه ها:

مدارهای تمام جمع کننده ، XOR ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی CNTFET ، سویینگ ولتاژ کامل ، حاصلضرب تاخیر در توان PDP

نویسندگان

امیر باغی رهین

مربی، گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود ، ایران،

وحید باغی رهین

مربی، گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران