جدایی و تنظیم پذیری فیلتر نوری در بلور فوتونی ناهمسانگرد الکترواپتیکی یک بعدی

در این مقاله، تنظیم پذیری فیلتر نوری در ساختار فوتونی ناهمسانگرد یک بعدی بر پایه مواد الکترواپتیکی بررسی شده است. تنظیم پذیری فیلتر نوری ارایه شده می تواند بوسیله جدایی مد نقص در حضور میدان الکتریکی خارجی بدست آید. جهت بررسی خواص تراگسیلی فیلتر نوری از روش ماتریس انتقال 4×4 استفاده شده است. نشان داده شده است که با اعمال میدان الکتریکی خارجی مد نقص به دو مد جدا شده و درداخل باند گاف متناسب با میدان الکتریکی اعمالی جابجا می شوند. نتایج محاسبات نشان می دهد که با اعمال میدان الکتریکی خارجی به ساختار ارایه شده ،برای یک موج فرودی قطبیده P یا S امکان تبدیل هر دو نوع قطبش P و S به صورت همزمان در تراگسیل و انعکاس وجود دارد. بنابراین، تاثیر شدت میدان الکتریکی اعمالی خارجی روی خواص فیلتر نوری از جمله تعداد، جدایی و تبدیل قطبش مد نقص مطالعه شده است. کنترل پذیری خارجی مد نقص در بلور فوتونی ناهمسانگرد، می تواند در طراحی فیلترهای نوری تنظیم پذیر مفید باشد.

کلیدواژه ها:

ناهمسانگرد ، فیلتر نوری ، اثرالکترواپتیک ، ماتریس 4×4