مطالعه ی اصول اولیه ی خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های ZnX(X=O, S, Se)

در پژوهش حاضر به بررسی و مطالعه خواص ساختاری، الکترونی و فونونی نانولایه های اکسید روی، سولفید روی و سلنید روی با استفاده از بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو پرداخته شده است. محاسبات براساس نظریه تابعی چگالی و نظریه تابعی چگالی اختلالی و تخمین انرژی تبادلی همبستگی انجام گرفته است. بررسی و تجزیه و تحلیل ساختار نواری و چگالی حاللت نانولایه- های اکسید روی، سولفید روی و سلیید روی نشان داد که همگی نیمه رسانای غیرمغیاطیسی با گاف نواری مستقیم هستید گاف نواری محاسبه شده برای نانولایه اکسید روی برابر 1/87 و سولنید روی برابر 2/66 و سلنید روی برابر 1/9 الکترون ولت بدست آمده است. همچیین نتایج مربوط به منحنی های پاشندگی فونونی و چگالی حالت فونونی محاسبه شده نشان داد که نانو لایه های اکسید روی و سولفید روی و سلنید روی به ترتیب دارای گاف فونونی با مقادیر 245/3 و 156/88 و 70/53 بر سانتی متر هستید. نمودار ظرفیت گرمایی هر سه ساختار در دماهای مختلف با تقریب هارمونیک رسم گردید که نشان داد ظرفیت گرمایی ویژه با افزایش جرم اتمی کاهش مییابد بنابراین اتم سبک تر گرمای ویژه بیشتری به خود اختصاص می دهد.

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی ، نظریه تابعی چگالی اختلالی ، نانولایه ، طیف فونونی ، ظرفیت گرمایی ، خواص الکترونی وساختاری