مطالعه ساختار نواری (الکترونی و مغناطیسی) و گذار در نوار نانوصفحه GaP

بیشترین کاربرد GaP به علت نیمرسانا بودن این ماده است. ساختار بلوری آن به صورت دستگاه بلوری مکعبی است. گالیم فسفید یک ماده نیمه رسانا از مواد پلی کریستال (چند بلوری) است و یک شکاف باند غیر مستقیم به اندازه 2.26eV دارد. گالیم فسفید به دلیل داشتن نواری پهن، پایداری گرمایی بالا و کاربرد فراوان در صنعت الکترونیک بسیار مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. در این مقاله برای محاسبه خواص فیزیکی مختلف یک بلور از نرم افزار محاسباتی Wien2K استفاده کردیم. با برش بلور حجیم GaP در راستای (011) خواص ماده کاملا تغییر کرده و ماده از یک نیمرسانا با گاف پهن تبدیل به یک نیمرسانا با گاف 1.782eV شده است. نکته قابل توجه آن است که ما از یک ماده حجمی غیر نانومتری یک ساختار نانو دوبعدی ایجاد کرده ایم که کاملا دارای گاف انرژی بسیار عالی در صنعت نانو است.

کلیدواژه ها:

ساختار نواری ( الکترونی و مغناطیسی) ، گذار ، نوار نانو