بررسی نظری اثر اعمال میدان الکتریکی بر خواص ساختاری و الکترونی نانولوله های زیگزاگ گرافدین

در این مقاله، مطالعه ساختار هندسی و الکترونی نانولوله های زیگزاگ گرافدین براساس نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبات با استفاده از کد محاسباتی سایستا، براساس روش ترکیب خطی اوربیتال های اتمی جایگزیده و تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. نتایج بررسی های انجام شده نشان می دهد که همه این نانولوله ها نیمرسانا هستند و گاف نواری مستقیم در نقطه گاما دارند. گاف نواری نانولوله های زیگزاگ وابسته به قطر نانولوله است و مقدار گاف نواری با افزایش قطر نانولوله ها کاهش می یابد. بعلاوه اثر اعمال میدان الکتریکی بر خواص ساختاری و الکترونی این نانولوله ها محاسبه و بررسی شده است.

کلیدواژه ها:

نانولوله های زیگزاگ گرافدین ، نظریه تابعی چگالی ، اثر میدان الکتریکی