تعیین ضخامت بهینه مجاز آشکارسازهای فتودیودی آرایهای صفحهای FPA ایندیوم آنتیموناید
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 850
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_162
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
چکیده مقاله:
برای قرائت جریان نوری تولیدی توسط یکآشکارساز آرایهای مادون قرمز ایندیوم آنتیموناید InSb)المانهای آنرا به یکمدار قرائت سیلیکونی از طریق جوشایندیوم وصل مینمایند. این آشکارسازها در دمای 77 درجه کلوین مورد استفاده قرار میگیرند و به دلیل تفاوت ضرایب انبساط حرارتی مدار قرائت سیلیکونی و تراشهInSb در ضخامتهای بالای تراشهInSb نیروی وارده از حد برش اتصالات ایندیومی بالاتر بوده و باعث بریده شدن آنها میگردد. محاسبات صورت گرفته در این مقاله نشان میدهد، با کاهشضخامت تراشهInSb به مقادیری پایینتر ازμm12 نیروی وارده بر هر جوشایندیوم از مقدار 8/6×4- 10 N که حد نیروی لازم برای برشایندیوم هاست کمتر میگردد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد دارایی
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک، صندوق پستی ۱۹۹-۱۹۵۷۵ تهران
محسن مرادی
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک، صندوق پستی ۱۹۹-۱۹۵۷۵ تهران
جواد خوشنظر
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک، صندوق پستی ۱۹۹-۱۹۵۷۵ تهران
علی اوسط علیپور
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک، صندوق پستی ۱۹۹-۱۹۵۷۵ تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :