بررسی تابع دی الکتریک و ضریب شکست و ضریب خاموشی ترکیب مونوفریت استرانسیوم با استفاده از تقریب های GGA+U و PBEO و MBJ
محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 4,674
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_065
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله خواص اپتیکی نظیر بخش های حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک ، ضریب شکست استاتیکی، ضر یبشکست و ضریب خاموشی در جهات مختلف با استفاده از تقریب های مختلف برای ترکیب مونوفریت استرانسیوم مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی با تقریب های PBE و GGA+U (هابارد) و PBEO (تابع هیبرید) و MBJ و با استفاده از نرم افزار WIEN2k صورت گرفته است. نتایج به دست آمده بیان گر انطباق ساختار نواری با بخش موهومی تابع دی الکتریک و برابری تقریبی گاف نواری با گاف اپتیکی در همه ی تقریب هاست. علاوه بر آن همگی تقریب ها اوربیتال Px اتم اکسیژن را مسئول اولین گذار احتمالی معرفی می کنند و با اعمال تقریب های ذکر شده به ترتیب بالا ضریب شکست کاهش و گاف اپتیکی افزایش می یابد. بررسی ضریب شکست در راستاهای مختلف نشان می دهد که ضریب شکست در بازه ی صفر تا 2/5 الکترون ولت در راستای X مقادیر بیشتری را به خود اختصاص می دهد. در بررسی تقریب های مختلف در محدوده ی انرژی های کمتر از 20 الکترون ولت، تقریب MBJ مقادیر کمتری را برای ضریب خاموشی محاسبه می کند .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمداله صالحی
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
زهره جاودانی
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
حجت اله باده یان
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :