مقایسه عملکرد فرآیند جذب واکنشی گاز دی اکسید کربن در ستون های جذب پرشده و پاششی و سیستم های غشایی
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 777
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCTCC03_334
تاریخ نمایه سازی: 10 شهریور 1393
چکیده مقاله:
دی اکسید کربن از جمله گازهای اسیدی و گلخانه ای مهمی است که موجب تغییرات آب و هوایی می شود و غلظت های بالای آن ایجاد آلودگی زیست محیطی خواهد کرد. بنابراین کنترل میزان انتشار این گاز به اتمسفر امری ضروری به نظر می رسد. همچنین مرحله حذف دی اکسید کربن در بسیاری از فرایندهای صنعتی مانند تولید هیدروژن، تولید گاز طبیعی و ... از جمله مراحل مهم به شمار می رآید، فرآیند جذب یکی از مهمترین فرایندها برای حذف این آلاینده است که می تواند در ستون های مختلفی همچنون ستون های پرشده، پاششی، ترکیب پرشده و پاششی، حبابی، دیواره مرطوب و شوینده های ونتوری و ... انجام پذیرد. در این مطالعه به بررسی و مقایسه عملکرد ستون های پرشده، پاششی و سیستم های غشایی در فرایند جذب واکنشی دی اکسید کربن پرداخته می شود. نتایج این تحقیق نشان داد که سیستم غشایی در بین سایر سیستم ها بهترین انتخاب می باشد زیرا دارای بیشترین ضریب انتقال جرم و سطح ویژه است. همچنین با مقایسه نتایج ارائه شده برای دو ستون پاششی و پرشده در می یابیم که ستون پاششی نسبت به ستون پرشده راندمان بیشتری برای جذب دی اکسید کربن را دارا می باشد. در بین حلال های موجودنیز، مونواتانول آمین بیشترین کاربرد را در جذب دی اکسید کربن دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فیروزه دیانتی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده مهندسی شیمی
سعید نوری خراسانی
دانشیار و عضو هیئت علمی، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده مهندسی شیمی
فاطمه بشی پور
دانشجوی دکتری، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده مهندسی شیمی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :