بررسی اثرمیزان تخلخل برخواص فتودیودی CdO/PSi/Si به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS)

در این پژوهش اثر میزان تخلخل برخواص فتودیودی نمونه های چندلایه ای CdO/PSi/Si روش طیف سنجی تونلی روبشی ( SpectroscopyScanning Tunneling ) مطالعه شد. لایه سیلیکن متخلخل ( PSi) کمک آندایزالکتروشیمیایی سیلیکین نوع +p ولایه اکسید کادمیم ( CdO) به روش لایه نشانی لیزر پالسی و در فشار torr10-5 ساخته شد. نمونه هارا در هوا و به مدت 10 دقیقه در دمای 500 درجه سانتیگراد پخت کردیم تا کمبوداکسیژن در آنها جبران شود. ضخامت و قطر حفرات لایه متخلخل، و مورفولوژی لایه اکسید کادمیم به روشهای AFM و SEM بررسی شدند. طیف XRD و طیف عبور اپتیکی به منظور بررسی خواص کریستالی و تعیین شکاف انرژی اکسید کادمیم استفاده شدند. با تغییر پارامترهای موثر در آندایز الکتروشیمیایی سیلیکن، نمونه های CdO/PSi/Si با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. بررسی منحنی جریان - ولتاژ نمونه ها در حضور نور و تاریکی به روش طیف سنجی تونلی روبشی (STS) وجود یک درصد تخلخل بهینه را به منظور بهبود خواص فتودیودی نمونه ها نشان داد.