تأثیر ولتاژ درین بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی در سطوح آلایش متفاوت

ویژگی های چشمگیر مدارات و ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بیانگر این امر است که این ادوات می توانند نقش مهمی در سیستم های الکترونیکی آینده ایفا نمایند. در این مقاله تأثیر ولتاژ درین درسطوح متفاوت آلایش سورس/ درین بر عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور و کانال نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0)، بررسی می گردد. این ادوات با استفاده از تابع گرین غیر تعادلی که معادله شرودینگر را به صورت خود سازگار با معادله پوآسن حل می کند، شبیه سازی می شوند. نتایج بدست آمده نشان می دهد افزایش سطح ناخالصی سورس/درین، در ولتاژ درین ثابت، به دلیل افزایش جریان نشتی، عملکرد افزاره را کاهش می دهد. همچنین افزایش ولتاژ درین، در هر مقداری از سطح آلایش، با افزایش چشمگیر جریان تشتی در حالت خاموش و با وجود افزایش ولتاژ درین هدایت بهبود می یابد اما سویینگ زیر آستانه افزایش خواهد یافت.

کلیدواژه ها:

تابع گرین غیر تعادلی ، ترانزیستور اثر میدانی ، سطح آلایش ، نانولوله کربنی ، ولتاژ درین