بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس 45nm نانومتر

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,330

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC02_054

تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388

چکیده مقاله:

در این مقاله مدل جدید غیر خطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45nm ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ISE-TCAD نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می گردد. در نهایت نتایج شبیه سازی سه بعدی نرم افزاری و رابطه ریاضی بدست آمده با آخرین نتایج بدست آمده مورد مقایسه قرار می گیرد. مقایسات نتایج بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می دهد.

نویسندگان

اعظم عسکری خشویی

کارشناس ارشد، گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

آرش دقیقی

استادیار، گروه برق، دانشکده فنی، دانشگاه شهرکرد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • اعظم عسکری خشویی، بررسی تغییرات مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI ...
  • - اعظم عسکری خشویی متولد اسفند 1362 شهر اصفهان می‌باشد. ...
  • -آرش دقیقی متولد 1351 شهر اصفهان می‌باشد. وی دوره کارشناسی ...
  • ابداع روشی جدید برای اتصال بدنه در این ترانزیستورها می‌باشد. ...
  • J. P. Colinge, _ S ilicon- On-Insulator Technology", Materials to ...
  • G. G. Shahidi, :SOI Technology for the GHz era", IBM ...
  • J. P. Raskin, "Wideband Charac terization of SOI Materials and ...
  • _ Kilchytska et al, "Influence of Device Engineering on the ...
  • D. Lederer and J P. Raskin, _ _ Charac terization ...
  • W. Jin, P. C. Chan, S. K. H. Fung, and ...
  • ISE TCAD Manual, ISE Integrated systems, V 10. ...
  • Wei Jin et al, "SOI Thermal Impedance Extraction Methodology and ...
  • D. Lederer and J P. Raskin, "RF Performance of a ...
  • C. Fiegna, Y. Yang, E. Sangiorgi and A. G. O'Neil, ...
  • D. Lederer et al, "Frequency Degradation of SOI MOS Device ...
  • A. Daghighi, M. Osman, M. A. Imam, " An area ...
  • Su P, Fung SKH, Tang S, Assaderaghi F, Hu C. ...
  • Lin SC, Kuo JB." Temperature- dependent Kink effect model for ...
  • _ T. Skotnicki, "Heading for decananometer CMOS navigation among icebergs ...
  • Shahidi GG, " SOI technology for the GHz era", In: ...
  • Gildenblat G, Li X, Wu W, Wang H, Jha A, ...
  • Gildenblat G, Wang H, Chen T-L, Cai X. SP: an ...
  • Gildenblat G, Li X, Wang H, Wu W, van Langevelde ...
  • A. Daghighi, M.A. Osman." Three- dimensional simulation of body contact ...
  • A. Daghighi, M.A. Osman. "Small signal analysis of a SOI ...
  • نمایش کامل مراجع