بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس 45nm نانومتر
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی مهندسی برق
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,330
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC02_054
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله مدل جدید غیر خطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45nm ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ISE-TCAD نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می گردد. در نهایت نتایج شبیه سازی سه بعدی نرم افزاری و رابطه ریاضی بدست آمده با آخرین نتایج بدست آمده مورد مقایسه قرار می گیرد. مقایسات نتایج بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اعظم عسکری خشویی
کارشناس ارشد، گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
آرش دقیقی
استادیار، گروه برق، دانشکده فنی، دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :