طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ترارسانا با بهره بالا و توانایی کار در محدوده دمایی وسیع جهت استفاده در ساختارهای فیلتر Gm-C

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 313

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC04_107

تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله OTA جدیدی طراحی و در فناوری 0.18μm CMOS شبیه سازی می شود. این ساختار دارای اتصال تقاطعی است که با ایجاد فیدبک مثبت، باعث افزایش بهره ولتاژ می گردد. چون قرار است این مدار در دماهای 40- تا 120 + کار کند، بنابراین طراحی طوری انجام می شود که در دماهای بسیار بالا نیز نیازهایی مانند بهره بالا، سویینگ خوب، سرعت و پهنای باند زیاد را برآورده نماید. برای جبران پاسخ فرکانسی تقویت کننده اصلی از تکنیک حذف قطب با استفاده از افزودن صفر استفاده می شود که این کار با استفاده از خازن و مقاومت طراحی شده بوسیله ترانزیستور، در مسیر سیگنال خروجی تقویت کننده اصلی انجام می شود. نتایج مدارات حاصل در دماها و گوشه های مختلف شبیه سازی و بررسی می شود. در نهایت، از این تقویت کننده ترارسانا در طراحی دو فیلتر ترارسانا خازنی استفاده می شود و پاسخ فرکانسی مدارها، IIP3 و توان مصرفی آنها بررسی می شود.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ترارسانای عملیاتی ، فیلتر ترارسانا خازنی ، مصرف توان ، خطی بودن

نویسندگان

انیس احمدسمالی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

سید محمد علی زنجانی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مهدی دولتشاهی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران