بررسی و مقایسه انواع سلول های SRAM طراحی شده و بیان چالش های موجود در طراحی با تکنولوژی CNTFET

در این مقاله، ابتدا حافظه های متنوعی که از لحاظ تعداد سلول بکار رفته 4Tr,5Tr,6Tr,7Tr,8Tr,9Tr,10Tr,11Tr,13Tr تا به امروز برای حافظه SRAM طراحی شدهاند، در تکنولوژی MOSFET با یکدیگر از لحاظ حاشیه نویز استاتیک، حاشیه نویز نوشتن، تاخیر خواندن و توان مصرفی مورد مقایسه قرار می گیرند و همچنین تاثیر ویژگی هایغیرایده آل نانولوله ها مانند تغییر در قطر نانولوله و اثرنانولوله های هادی ونیمه هادی در تکنولوژی CNTFET ساختار این سلول ها مورد بررسی قرار می گیرد. قطرنانولوله به نسبت ماهیت نانو لوله (که هادی باشد یا نیمه-هادی) تاثیر بیشتری روی توان مصرفی کل دارد. در این بررسی با افزایش قطر نانولوله، تاخیر عملیات خواندن کاهش می یابد و با افزایش درصد نانولوله های هادی، تاخیر عملیات خواندن افزایش می یابد. پس با توجه به اینکه حداقل تاخیر عملیات خواندن ایده آل ما می باشد، باید تاثیر ماهیت نانولوله را هم در طراحی لحاظ کرد. با افزایش توامان نانولوله های هادی و قطر نانولوله، حاشیه نویز ایستا کاهش یافته در حالیکه پارامتر حاشیه نوشتن با افزایش قطر نانولوله افزایش و با افزایش نانولوله های هادی کاهش می یابد. اثر قطر نانولوله روی پارامترهای حاشیه نویز ایستا و حاشیه نوشتن، نسبت به اثر ماهیت نانولوله بیشتر است.

کلیدواژه ها:

تاخیر ، توان مصرفی ، حافظه CNTFET ، SRAM