تحلیل رفتار چگالی حاملهای بار روی یک سطح گرافنی تحت بایاس در دو مدل ظرفیت کوانتومی و کلاسیکی
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانو از سنتز تا صنعت
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 407
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NFSI01_230
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله چگالی حاملهای بار القاء شده توسط بایاس درگاهی روی یک سطح گرافنی در یک ساختار خازنی مسطح که یک صفحه آن گرافن و صفحه دیگر آن فلز ( درگاه) است به ازای مقادیر مختلف ولتاژ درگاه محاسبه شده است ؛ سپس ولتاژ درگاهی و ولتاژ در کل ناحیه بین فلز و گرافن یعنی دی الکتریک بدست آمده است . ولتاژ و چگالی حاملها در نقاط مختلف این ساختار با استفاده از جعبه ابزار PDE در نرم افزار متلب به روش ظرفیت کوانتومی بررسی و محاسبه شده است . نتایج نشان می دهند که ظرفیت کوانتومی خصوصا برای سیستمهای با چگالی حالت پایین مهم است ( مانند یک سیستم دو بعدی الکترونی در سطح یک دی الکتریک و یا سطح مشترک گرافن). در آخر به تحلیل و مقایسه نتایج حاصل از مدل ظرفیت کوانتومی با نتایج مدل ظرفیت کلاسیکی و روش پوآسون – دیراک به عنوان یک روش عددی خود سازگار پرداخته ایم تا نشان دهیم وجه تمایز ظرفیت کلاسیکی و کوانتومی در نظر گرفتن تصحیح کوانتومی در مدل کوانتومی است که تنها هنگامی نقش آشکاری ایفا می کند که صفحه فلزی بسیار نزدیک به صفحه گرافن باشد و در این حالت نتایج مدل کوانتومی و روش خودسازگار پوآسون – دیراک یکسانند. نتایج نشان داد که برای خازنهای صفحه موازی با V_g=0 و d≤20 nm نسبت تغییر حاصل از تصحیح کوانتومی نزدیک صفر است. به این معنی است که تصحیح کوانتومی نقش کمتری را ایفا می کند. در مقابل هنگام نزدیک شدن به V_g و محور d بالاتر، نسبت به طور قابل توجهی رشد پیدا می کند که دلالت بر این دارد تصحیح کوانتومی یک نقش مهمی دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد کریمی
شرکت مخابرات ایران، منطقه آذربایجان غربی ، مهاباد، ایران