ترانزیستور CNTFET و جریانهای عبوری از ان
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,849
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_652
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
چکیده مقاله:
دراین مقاله مدلی محاسباتی برای مطالعه ی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله (CNTFETs) ارائه میدهیم CNTFET ها می توانند به دو صورت تماس اهمی و یا تماس شاتکی ساخته شوند. ما محاسبات خودرا برپایه ی ترانزیستورهای نوع شاتکی قرار داده و کار آنها را براساس ضریب عبور حاملها از سد شاتکی در سطح مشترک فلز و نانولوله های کربنی نیمرسانا در نظر گرفته ایم در روش محاسباتی ارائه شده از معادله لاندائو - بوتینگر استفاده نموده و تغییرات جریان را برحسب ویژگیهای کانال، ولتاژ و دیگر پارامترها بدست اورده ایم.
نویسندگان
سیده مژده فدایی
دانشگاه پیام نور بجنورد