ترانزیستور CNTFET و جریانهای عبوری از ان

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,849

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_652

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله مدلی محاسباتی برای مطالعه ی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله (CNTFETs) ارائه میدهیم CNTFET ها می توانند به دو صورت تماس اهمی و یا تماس شاتکی ساخته شوند. ما محاسبات خودرا برپایه ی ترانزیستورهای نوع شاتکی قرار داده و کار آنها را براساس ضریب عبور حاملها از سد شاتکی در سطح مشترک فلز و نانولوله های کربنی نیمرسانا در نظر گرفته ایم در روش محاسباتی ارائه شده از معادله لاندائو - بوتینگر استفاده نموده و تغییرات جریان را برحسب ویژگیهای کانال، ولتاژ و دیگر پارامترها بدست اورده ایم.

نویسندگان

سیده مژده فدایی

دانشگاه پیام نور بجنورد