بررسی رفتار فرکانسی لیزرهای نیمه هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی با استفاده از یک الگوی مدار متعادل

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 684

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NPECE01_243

تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله اثرات زمان و اهلش جریان بایاس و احتمال اشغال حالت پایه بر پاسخ مدولاسیون لیزر نیمه هادی نقطه کوانتومی خود آراسته InGaAs/GaAs با استفاده از یک الگوی مداری مورد بررسی قرار گرفته است نتایج نشان می دهند که افزایش زمان و اهلش و افزتیش اشغال حالت پایه موجب کاهش پهنای باند مدولاسیون و افزایش جریان بایاس سبب افزایش پهنای باند مدولاسیون خواهد شد

نویسندگان

مرضیه اکبرشاهی

گروه مهندسی برق واحد اسلامشهر دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر ایران

حسین رضا یوسف وند

گروه مهندسی برق واحد اسلامشهر دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Sugawara, M. Hatori, N. Ebe, H. and Ishida, M. (2 ...
  • Zhukov, A.E. Mikhrin, S.S. Vasilev, A.P. Shernyakov, Yu.M. Maximov , ...
  • Levon V. Asryan and Robert A Suris. (2010), *Upper limit ...
  • Klotzkin, D. and Bhattachary, P. (1999), "Lightwave Technol". ...
  • Arakawa, Y. and Sakaki, A. (19 82) _، 0Multidimens ional ...
  • Sugawara, M. Hatori, N. and et al Ishida. (2005), "Recent ...
  • Yavari, M. H. and Ahmadi, v. (2 009) , Circuit-Level ...
  • Sugawara, M. (1998), "Effect of carrier dynamics On quantum-dot laser ...
  • Sugawara, M. (1999), _ Self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots, " in ...
  • نمایش کامل مراجع