طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی

نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت NAND در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک در جهان امروز دارند همچنین ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های NAND با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد.در این مقاله گیت های NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 91 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های NAND بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند

کلیدواژه ها:

گیت های NAND ، سه و پنج و هفت نه ورودی ، ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لولهکربنی ، تکنولوژی CMOS