یک میکروسنسور میدان مغناطیسی تشدیدی پیزوالکتریکی با حساسیت بالا و پاسخ خطی بر پایه عملکرد انتقال فشار سیال

یک سنسور میدان مغناطیسی تشدیدی با حساسیت بالا با بر پایه حسگری پیزوالکتریک بر پایه عملکرد انتقال فشار سیال با استفاده از نرم افزار COMSOL Multiphysics مورد طراحی و شبیه سازی قرار گرفته است. عملکرد این سنسور بر پایه استفاده از نیروی لورنتز و انتقال این نیروی تولیدی به طور موثر به ماده پیزوالکتریک می باشد. ساختار سنسور از جنس گالیوم آرسناید میباشد و فرکانس تشدید اول ساختار با توجه به شکل حالت های تشدید ساختار در فرکانس های تشدید مختلف سازه، به عنوان فرکانس تشدید برای سنسور در نظر گرفته شده که فرکانس تشدید آن برابر 128/303 kHz می باشد خروجی سنسور با استفاده از تکنیک انتقال فشار موثر از صفحه تشدیدگر توسط سیال واسط به لایه پیزوالکتریک مطابق با قانون پاسکال حاکم بر سیالات میباشد. حساسیت سنسور برای جریان های Irms مختلف 30mAو20mAو10mA به ترتیب برابر با مقادیر VT21/289 و14/193 VT و7/096VT می باشد. مزایای این سنسور طراحی و شبیه سازی شده حساسیت بالا و کوچکی سنسور و عدم مصرف توان الکتریکی در بخش حسگری و کاهش نیازمندی به مدارهای الکتریکی می باشد

کلیدواژه ها:

سنسور میدان مغناطیسی ، فرکانس تشدید ، فشار سیال ، نیروی لورنتس ، پیزوالکتریک