شبیه سازی انتشار تپ در میکرو حلقه لیزر رامان با ماده سیلیکون بر عایق

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,383

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PHOTONICS01_006

تاریخ نمایه سازی: 13 دی 1387

چکیده مقاله:

در این مقاله انتشار تپ در میکرو حلقه شبیه سازی و رفتار تپ را با افزایش شدت بررسی کرده ایم .نتایج نشان می دهد این لیزر در توان های کم بازده خوبی دارد .همچنین توان آستانه در مرتبه 200uw محاسبه شده است که با نتیجه تجربی 234/5uW تطلبق خوبی دارد.در محاسبات ماده در نظر گرفته شده سیلیکون بر روی عایق است که به علت ضریب غیر خطی بالا اخیرا مورد توجه قرار گرفته است

کلیدواژه ها:

سالیتون-شبیه سازی تپ-لیزر رامان-میکرو کاواک-سیلیکون برروی عایق

نویسندگان

m hatami

Atomic & Molcular group, Faculty of Science, Yazd Univ., Yazd, Iran

s shakeri

Atomic & Molcular group, Faculty of Science, Yazd Univ., Yazd, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • F. De Leonardis, V. M. N. Passaro, Modelling of Raman ...
  • M. Hatami, H. Ghafouri , A. Zakery, Analysis of gained ...
  • T. J. Kippenberg, S. M. Spillane, B. Min , K. ...
  • نمایش کامل مراجع