تاثیر فرایند امایش لیزری براستانه اسیب لیزری تک لایه ی ZrO2 با شرایط انباشت مختلف
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 817
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PHOTONICS03_105
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1389
چکیده مقاله:
تک لایه های ZrO2 به روش تبخیر پرتوالکترونی EBE در فشار پایه 5- 01×0 میلی بار لایه نشانی شد. تاثیر تغییرات فشار اکسیژن برویژگیهای طیفی و اسیب پذیری لیزری پوشش بررسی شد. طیف عبور نمونه ها توسط طیف سنج دو پرتوی اندازه گیری شد استانه اسیب لیزری برطبق استاندارد ISO11254 به دست آمد فرایند امایش لیزری با روش اسکن کردن سطح انجام شد. یافته ها نشان داد که این فرایند درمواردی که فشار جزئی اکسیژن در هنگام لایه نشانی بیشتر است منجر به افزایش استانه اسیب لیزری می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
معصومه صحرایی
گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه اصفهان
بدری مرادی
گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه اصفهان
حمیدرضا فلاح
گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه اصفهان
مرتضی حاجی محمودزاده
گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه اصفهان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :