CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

A COMPARATIVE STUDY OF Si- AND GaAs-BASED DEVICES FOR REPETITIVE# HIGH-ENERGY, PULSED SWITCHING APPLICATIONS

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۸ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۲۸۸ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۷۱
کد COI مقاله: PSC07_040
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۵۰۱.۱۹ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۸ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۸ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله A COMPARATIVE STUDY OF Si- AND GaAs-BASED DEVICES FOR REPETITIVE# HIGH-ENERGY, PULSED SWITCHING APPLICATIONS

HADIZAD - Department of Electrical Engineering-Electrophysics, University of Southern California, Los Angeles, California 90089-0484, USA.

چکیده مقاله:

A study is performed to assess Si and GaAs as materials for realization of repetitive, highenergy, pulsed switches in applications where the switching parameters are blocking voltages (V B ) exceeding 1 kV in the off state and conduction currents (I F) in excess of 500 A in the on state, the current risetime being less than 1 ps and the pulse length being longer than 50 ns. Theoretical and technological limitations associated with the switching characteristics of Si- and GaAs-based majority carrier (unipolar) and minority carrier (bipolar) devices in the low-field. high-mobility, and high-field velocity saturation regimes are analyzed and discussed. It is concluded that for medium power applications (V B I F <300 kW, V B >1 kV), majority carrier devices are best suited for fast switching processes in the low-field, low current density (J<100 A/cm 2 ) regime. Under such conditions, the high drift mobility of GaAs allows for realization of field-effect devices exhibiting fast switching speeds
and low. on-state conduction losses. For pulsed switching in the high-power regime (300 KW<V B I F <30 MW, V B >1 kV), bipolar structures exhibit the most desirable characteristics, while compared to their Si counterparts, the on-state conduction losses of GaAa-based devices are extremely high. These considerations are extended to stacked Si bipolar devices and semi-insulating GaAs photoconductive switches for ultrahigh-power (>30 MW) switching applications.

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-PSC07-PSC07_040.html
کد COI مقاله: PSC07_040

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
HADIZAD, , ۱۳۷۱, A COMPARATIVE STUDY OF Si- AND GaAs-BASED DEVICES FOR REPETITIVE# HIGH-ENERGY, PULSED SWITCHING APPLICATIONS, هفتمین کنفرانس بین المللی برق, تهران, شرکت توانیر, پژوهشگاه نیرو, https://www.civilica.com/Paper-PSC07-PSC07_040.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (HADIZAD, , ۱۳۷۱)
برای بار دوم به بعد: (HADIZAD, ۱۳۷۱)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

شبکه تبلیغات علمی کشور

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.