بررسی پارامترهای استاتیکی برای مبدل دیجیتال به آنالوگ 12 بیتی مقامتی-خازنی با سرعت 208CMOS مگاهرتز در پروسه 0,18 میکرون
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای فناوری اطلاعات برق پالایش
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 667
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PUAST01_011
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مبدل دیجیتال به آنالوگ 12 بیتی مقاومتی خازنی با سرعت حدود 208 مگاهرتز طراحی شده است و رفتار استاتیکی آن مورد بررسی قرار گرفته و نتایج شبیه سازی آن برای مقادیر مختلف ولتاژ مرجع با هم مقایسه می شوند. در ابتدا برخی از پارامترهای استاتیکی که مهمترین آنها شامل DNL و INL می باشند معرفی می شوند سپس ساختار مورد نظر متشکل از دو ساختار رشته مقاومتی و باینری خازنی با استفاده از سوئیچ NMOS مورد بحث قرار می گیرد که می توان برای بهبود عملکرد مبدل از سوئیچ مکمل نیز در سرعت های بالا نیز استفاده کرد. برای بررسی رفتار استاتیکی مبدل، ورودی اعمالی را پالس هایی با دامنه 3 ولت و با حداقل و حداکثر فرکانس به ترتیب حدود 97,6 کیلوهرتز و 208 مگاهرتز در نظر می گیریم که در این صورت از ooo ... ooo تا 111 ... 111 را شامل می شود. ولتاژ تغذیه مبدل 1,8 ولت است که ولتاژ مرجع برای خروجی مورد نظر باید برابر همین مقدار باشد.
کلیدواژه ها:
مبدل دیجیتال به آنالوگ ، رشته مقاومتی ، آرایه وزن دار خازنی ، سوئیچ مکمل ، غیرخطینگی دیفرانسیلی ، غیرخطینگیانتگرالی
نویسندگان
نوید شیخی
مدرس دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران
علیرضا علیزداه
مدرس دانشگاه پیام نور گچساران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :