طراحی یک جمع کننده فوق العاده سریع با استفاده از ساختار گیت NOT و ترانزیستورهای CNTFET

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,371

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PUAST01_109

تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدار پیشنهادی جدید با کارایی بالا بر مبنای گیت های پایه or ، and که برای خروجی carry گیت های or، xnorg برای خروجی sum که بااین گیت ها موفق به طراحی جدید جمع کننده جدید ارائه می دهیم . این مدار پیشنهادی بر پایه فناوری نانو لوی کربنی پیاده سازی شده است . نتایج شبیه سازی نشان داده است طرح پیشنهادی ما از لحاظ سرعت توان مصرفی و pdp از کارایی بهتری برخوردار است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای سیلیکونی ، mosfet ، cntfet کربن نانولوله ، سلول تمام جمع کننده با ترانزیستور های کربن نانولوله

نویسندگان

امیر شامان پور

گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران

رضا جلیلی

گروه کامپیوتر و فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱

راضیه صالحیان

گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱

صفر کاویانی

گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • The International Technology Roadmap for Semiconductos (ITRS), 2009 _ ...
  • F. Pregaldiny, C. Lallement, JBKammerer, (2006) :Desig ...
  • M. Sulieman, V. Beiu, (2003) "Review of recent full adders ...
  • J. Appenzeller, J. Knoch, R. Martel, V. Derycke, S. Wind, ...
  • electronics, " IEEE Transactions _ Nanotechno logy, Vol. 1, No. ...
  • A. Raychowdhury and K. Roy, (2004) _ novel multiple ...
  • nanotube FETs, " in Proceedings of International Symposium On Mult ...
  • A. Raychowdhury, K. Roy, (2005)، _ arb on-Nanotube-f ased Voltage-Mode ...
  • Design, " IEEE Transactions _ Nano technology, Vol. 4, No. ...
  • Nanotube Electronics: Design of High- Carbonء [7] A. Raychowdhury K. ...
  • low power Digital Circuits, " IEEE Transactions on Circuits and ...
  • microtubules of graphitic carbon, " Nature 354, 56-58 . Helicalء ...
  • J. Appemzeller, (2008) "Carbon nanotubes for high performance electronics- Progress ...
  • Proceedings of the IEEE, Vol. 96, No. 2 . ...
  • P. Avouris, Z. Chen, & V. Perebeinos, (2007) "Carbon-based electronics, ...
  • R. Saito, T. Takeya, T. Kimura, G. Dresselhaus, and MS ...
  • R. Martel, T. Schmidt, HR Shea, T. Hertel, and Ph. ...
  • S.Heize, J.Tersoff, R.Martel, V.Derycke, J.Appenzeller and P.Avouris, (2002) :Carbon Nanotubes ...
  • J. Deng, (2007) "Device modeling and circuit performance evaluation for ...
  • J. Deng and H.-SP Wong, (2007) "A compact SPICE model ...
  • IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 54, No. 12, pp 3186-3194 ...
  • J. Deng and H.-SP Wong, (2007) "A Compact SPICE Model ...
  • Transistors Including Nonidealities and Its Application: Part II: Full Device ...
  • R. Zimmermann and W. Fichtner, (1997) "Low-power logic styles: CMOS ...
  • logic, " IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 32, pp 1079-1090 ...
  • N. Weste and K Eshraghian, (1993) "Principles of CMOS VLSI ...
  • S. Issam, A. Khater, A. Bellaouar, Ml Elmasry, (1996) "Circuit ...
  • K.Navi, A. Momeni, F. Sharifi, P. Keshavarzian, (2009)"Two novel ultra ...
  • Full-Adder cells ", IEICE Electronics Express, Vol. 6, No. 19 ...
  • K. Navi, F. Sharifi, A. Momeni, P. Keshavarzian, (2010) "Ultra ...
  • Based on Majority Gates, " IEICE Trans. Electronics, Vol. E93-c, ...
  • نمایش کامل مراجع