کاربرد CNTFET در گیت های منطقی و اجرای آن با استفاده از شبیه ساز HSPICE
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای فناوری اطلاعات برق پالایش
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,778
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PUAST01_126
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
با توجه به قانون مور کاهش پی در پی در ابعاد ترانزیستورها، ، باعث پایین آمدن کارایی در سطح عملکرد آی سی سیلیکون بوده است. با توجه به اثراتی مانند اثرات اتصال کوتاه کانال، اثر تونل زنی، اتلاف حرارت اضافی، مشکلات مرتبط و مشکلات غیره بوجود می آیند. بنابراین امکان کاهش اندازه بیشتر از این امکان پذیر نیست. از این رو در حال حاضر آن را به جایگزین کردن مواد و فن آوری های جدید لازم می دانیم. ترانزیستورهای کربن نانو لوله اثر میدانی CNTFETs هستند که به طور گسترده ای به عنوان جانشینان احتمالی MOSFET های سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفتند. این مقاله شبیه سازی مدارهای دیجیتالی CNTFET با استفاده از HSPICE که پارامترهای مانند تاخیر، قدرت و PDP را محاسبه کرده است تمرکز می کند.
کلیدواژه ها:
نانولوله ای کربنی ، ترانزیستورهای کربن نانو لوله اثر میدانی نانولوله ای کربنی فیلد تأثیر ، ترانزیستور ، گیت های منطقی ، شبیه سازHSPICE ، Avanwaes
نویسندگان
امیر شادمان پور
گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران
امین هاشمی پور
گروه مهندسی فناوری اطلاعات مرکز پیام نور گچساران
خدیجه مصطفوی نژاد
گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱
طیبه نارکی
گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :