شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه
محل انتشار: همایش علمی سالانه دانشگاه رازی
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 502
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RAZICONF01_133
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله، شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Pentacene Thin Film Transistor بر اساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه انجام شده است. مدل شبکه عصبی این ترانزیستور به صورت یک زیر مدار در برنامه شبیه ساز HSPICE گنجانده شده است و نتیجه شبیه سازی مدار وارونگر با استفاده از این مدل، در مقایسه با خروجی مدار ساخته شده دارای تطابق بسیار بالایی بوده و در ادامه جهت ارزیابی و اعتبارسنجی روش پیشنهادی، شبیه سازی یک تقویت کننده نیز انجام شده که از دقت بالایی برخوردار است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن حیاتی
گروه برق – دانشکده فنی مهندسی - دانشگاه رازی کرمانشاه
فرزاد مظفری
گروه برق – دانشکده فنی مهندسی - دانشگاه رازی کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :