CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

The Role of Hydrogen on Dielectric Properties of Silicon Nanoclusters

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۸ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۵۳ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: Computer Science and Computer Engineering
سال انتشار: ۱۳۹۱
نوع ارائه: شفاهی
کد COI مقاله: SASTECH06_081
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۴۹۶.۸۵ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۸ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۸ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله The Role of Hydrogen on Dielectric Properties of Silicon Nanoclusters

Sib Krishna Ghoshal - Advanced Optical Material Research Group, Department of Physics, Faculty of Science, Universiti Teknologi Malaysia,81310 UTM Skudai, Johor, Malaysia
M. R. Sahar -
R Arifin -
K Hamzah -

چکیده مقاله:

computer simulation using pseudo-potential approach is carried out to investigate the band gap as a function of the size and the shape of small silicon quantum dots (called Si nanoclusters) having 3 to 44 atoms per dot with and without surface passivation by hydrogen. An empirical pseudo-potential Hamiltonian, a plane-wave basis expansion and a basic tetrahedral structure with undistorted local bonding configurations are used. In our simulation, the structures of the quantum dots are relaxed and optimized before and after hydrogen passivation. It is found that the gap increases more for hydrogenated surface than unpassivated one. Thus, both quantum confinement and surface passivation determine the optical and the electronic properties of Si quantum dots. Visible luminescence is probably due to radiative recombination of electrons and holes in the quantum-confined nanostructures. The effect of passivation of the surface dangling bonds by hydrogen atoms and the role of surface states on the gap energy is also examined. We investigate the entire energy spectrum starting from the very low-lying ground state to the very high-lying excited states. The results for the sizes of the gap, the DOS and the dielectric function of the size are presented. The importance of the confinement and the role of hydrogen passivation on the optical effects are discussed

کلیدواژه‌ها:

Pseudopotential, Quantum dots, Confinement, Passivation, Luminescence

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-SASTECH06-SASTECH06_081.html
کد COI مقاله: SASTECH06_081

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Krishna Ghoshal, Sib; M. R. Sahar; R Arifin & K Hamzah, ۱۳۹۱, The Role of Hydrogen on Dielectric Properties of Silicon Nanoclusters, ششمین کنفرانس بین المللی پیشرفتهای علوم و تکنولوژی, مشهد, موسسه آموزش عالی خاوران, https://www.civilica.com/Paper-SASTECH06-SASTECH06_081.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (Krishna Ghoshal, Sib; M. R. Sahar; R Arifin & K Hamzah, ۱۳۹۱)
برای بار دوم به بعد: (Krishna Ghoshal; Sahar; Arifin & Hamzah, ۱۳۹۱)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Bettoti, P., Cazzanelli, M., Dal Negro, L., Danese, B.. Gaburro, ...
  • Canham, L. T. (1990). Silicon quantum wire arrya fabrication by ...
  • Delley, B. & Steigmeier, E. F. (1993). Quantum confinement in ...
  • Ghoshal, S. K., Mohan, D., Kassa, T. T., & Sharma, ...
  • Guerra, R., Marri, I., Magri, R., Samos, _ M., O. ...
  • s"ssrec» 2012, Malaysia, Kuala Lumpur. 24-25 March, 2012. Organized by ...
  • Huaxiang, Fu, Ling, Ye., & Xide, X. (1993). Optical properties ...
  • Kanemitsu, Y. (1993). Slow decay dynamics of visible luminescence in ...
  • Liu, L, Jayanthi, C. S., & Wu, S. Y. (2001). ...
  • Wolkin M. V, Jorne, J., Fauchet, P. M., & Delrue, ...
  • Zunger, A. & Wang, L. W. (1996). Theory of silicon ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.