Study of resistance changes impact on power of resistive-load inverter by using 90nm and 65nm technologies

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 933

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SASTECH07_141

تاریخ نمایه سازی: 30 تیر 1392

چکیده مقاله:

With the increasing development of science and technology in today's world, Electronic chips go into nanotechnology. logical complexity is exponential growth in chip . Advances in integrated circuits manufacturing technology are posing particular size reduction. On the other hand, power is one of the most important factors that will be evaluated in an electronic circuit. This paper has tried to study of resistance changes impact on the Dc and dynamic power of resistive-load inverter circuit by using nanotechnologies. And the distribution of these powers can be applied in.

نویسندگان

Forough Fallahi

Student of MA degree, Islamic azad university,fasa branch

Mahmood Aleshams

Member of Islamic azad university faculty,fasa branch

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Chetan S. (1983). dynamic power dissipation and reduction by reducing ...
  • Eric P. (2010). Energy dissipation and transport in Nanoscale device, ...
  • Malay R. (2009). member, SRB, Nano CMOS, volum 1, Issue ...
  • Shiri D. and maarefi H (2006).Analog CMOS integrated circuits design. ...
  • نمایش کامل مراجع