به کار گیری ساختار ناهمگون در ترانزیستور اثرمیدان تونلی غیر پیوندی و تاثیر آن بر عملکرد آنالوگ / دیجیتال افزاره

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی غیر پیوندی (JLTFET) ارایه می گردد. ساختار پیشنهادی در این پژوهش توسط نرمافزار سیلواکو مورد شبیه سازی قرار می گیرد. پدیده تونلزنی کوانتومی که ناشی از خمش الگوی نوار انرژی می باشد بررسی شده و پارامترها و معیارهای عمده ارزیابی عملکرد افزاره در کاربردهای آنالوگ یا دیجیتال شامل ولتاژ آستانه ((V(t، شیب زیر آستانه (SS)، جریان حالت روشن ((I(ON) و خاموش ((I(OFF) و نیز نسیت این دو جریان مورد سنجش قرار می گیرد. در ادامه ساختاری موسوم به ساختار ناهمگون (HJLTFET) پیشنهاد می گردد که بر اساس آن ماده ای با شکاف انرژی متفاوت با ناحیه کانال و درین در سورس استفاده می شود. تاثیر این ایده بر عملکرد افزاره بررسی خواهد شد.

کلیدواژه ها:

تونلزنی کوانتومی ، ترانزیستور تونلزنی ، جریان حالت روشن ، سرکوب جریان