بررسی تغییر آلایش کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با مقاومت منفی

در این تحقیق ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پایین سورس و درین با مقاومت منفی که با ایجاد یک هاله ناخالصیپله ایی در کانال ایجاد شده است، را پیشنهاد شده و اثر تغییر شدت ناخالصی آلایش پله ایی بر شاخص های جریان روشنایی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی به ازای جریان روشنایی، مقاومت دیفرانسیل منفی بررسی می شود. ترانزیستور پیشنهادی با استفاده از روش NEGF شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مقدار جریان روشنایی و همچنین نسبت جریان روشنایی به خاموشی با با ایجاد ساختار پله ایی افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

نانولوله کربنی ، تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) ، هاله ناخالصی ، آلایش سبک ناحیه سورس و درین (LDDS) ، مقاومت دیفرانسیل منفی