CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

رشد ناحیه ای بلور(Bi2Te3)0.25(Sb2Te3)0.75 و بررسی تغییرات رسانایی الکتریکی در راستای رشد به کمک شبیه سازی فرایند رشد

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۴ | تعداد نمایش خلاصه: ۹۵۱ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: فیزیک
سال انتشار: ۱۳۸۵
نوع ارائه: شفاهی
کد COI مقاله: SCMI14_042
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۱۳۷.۷۸ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۴ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۴ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله رشد ناحیه ای بلور(Bi2Te3)0.25(Sb2Te3)0.75 و بررسی تغییرات رسانایی الکتریکی در راستای رشد به کمک شبیه سازی فرایند رشد

  قاسم کاوه ای - پژوهشگاه مواد و انرژی، آزمایشگاه ترموالکتریک، تهران
  مسعودالله کرمی - پژوهشگاه مواد و انرژی، آزمایشگاه ترموالکتریک، تهران

چکیده مقاله:

بلور نیمرسانای (Bi2Te3)0.25(Sb2Te3)0.75 با خاصیت ترموالکتریک با کاربرد وسیع در سرد کننده های ترموالکتریک به عنوان پایه نوع p در گستره دمایی 250-400K می باشد. در فرایند ساخت این بلور به روش رشد ناحیه ای ، انحراف نمایی از حالت استوکیومتری در راستای رشد مشاهده گردید، که ناشی از فرایند نوعی رشد می باشد. انحراف سبب ایجاد تغییر در رسانایی الکتریکی در راستای رشد وابسته به استوکیومتری ترکیب می گردد. در این تحقیق سعی بر ارائه مدلی جهت رشد و پیش بینی اثر تغییرات استوکیومتری ترکیب در طول میله بلورین بر رسانایی الکتریکی و مقایسه نتایج با مقادیر رسانایی الکتریکی اندازه گیری شده است.

کلیدواژه‌ها:

بلور نیمرسانای نوع p، رشد ناحیه ای ، استوکیومتری ترکیب ، رسانایی الکتریکی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-SCMI14-SCMI14_042.html
کد COI مقاله: SCMI14_042

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
کاوه ای, قاسم و مسعودالله کرمی، ۱۳۸۵، رشد ناحیه ای بلور(Bi2Te3)0.25(Sb2Te3)0.75 و بررسی تغییرات رسانایی الکتریکی در راستای رشد به کمک شبیه سازی فرایند رشد، چهاردهمین همایش بلور شناسی و کانی شناسی ایران، بیرجند، دانشگاه بیرجند، دانشکده علوم، https://www.civilica.com/Paper-SCMI14-SCMI14_042.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (کاوه ای, قاسم و مسعودالله کرمی، ۱۳۸۵)
برای بار دوم به بعد: (کاوه ای و کرمی، ۱۳۸۵)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • J. Yang, T. Aizawa, A. Y amanoto, T. Ohta, Jornal ...
  • J. Seo, D. Cho, _ Park, C. Lee, Naterials Research ...
  • !. Yang, T. A izawa, A. Y anamnoto, T. Ohta, ...
  • K. Park, J.H. Seo, D.C. Cho, B.H. Choi, C.H. Lee, ...
  • Taek-Soo Kim, lk-Soo Kim, Materials Science Engineering B90 (2002) 42 ...
  • S. O. KGasap. Principle of Electroniن Naterials and Devices, ۲۰۰۲, ...
  • S. _ Sze, Senn iconductor Devices; physics and technology, 2002, ...
  • H. Scherrer, S. Scherrer, CRC Handbook of T h erioe ...
  • کاوه ای، صدقی، الله کرمی، دوازدهمین کنفرانس بلور شناسی ایران، ... (مقاله کنفرانسی)
  • کاوه ای، صدقی و الله کرمی، چهارمین کنفرانس مهندسی مواد، ... (مقاله کنفرانسی)
  • اصغر کراچیان، محاسبات عددی. ۱۳۸۲، انتشارات دانشگاه فردوسی مشهد، صفحه ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز:
    تعداد مقالات: ۱۹۹۳
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.