تهیه و خواصفیلم نازک 12 CaCu Ti4O رشد داده شده بر روی سیلیکون پوشش داده شده با 3 LaNiO توسط فرآیند سل – ژل

فیلم نازک CCTO بر روی زیر لایه سلیکونی پوشش داده شده با LNO توسط فرآیند سل – ژل تهیه شده بود .نمونه ی CCTO دارای ساختار پروسکایتی بدون هیچ گونه ناخالصی قابل توجهی می باشد . در مقایسه با فیلم های رشد داده شده روی پلاتین Pt فیلم نازک CCTO روی LNO جهت گیری ابتدایی 400 را نشان می دهد . این ممکن است به خاطر فعالیت های لایه ی کشت LNO در خلال رشد CCTO باشد ، که این مسئله نشان دهنده ی کاهش کمتر دی الکتریک فیلم نازک CCTO روی LNO از مقدار کاهش دی الکتریک بر روی پلاتین می باشد .پاسخ دی الکتریک فیلم نازک CCTO روی LNO می تواند توسط تاثیر رسانایی و نفوذ ارائه شده ی مدل آرامش دبای توصیف شود