اثرماده آلی CTAB و عملیات گرمایشی بر خواص اپتیکی لایه نازک دی اکسید سیلیکون تهیه شده به روش سل-ژل

در این گزارش چگونگی تغییرات خواص اپتیکی لایه نازک اکسید سیلیکون در اثر تغیرات دمایی که با استفاده از روش غوطه وری سل –ژل تهیه شده، ارائه شده است. در ابتدا ماده آلی ستیل تری متیل آمنیوم برمایید به عنوان سورفاکتانت در ساختار غیر آلی اکسید سیلسوم سبب تشکیل هیبرید آلی- غیرآلی گردید وسپس این هیبرید برای تشکیل لایه نازک با سرعت غوطه وری mm/s3.5 مورد استفاده قرار گرفت . پس از خشک سازی اولیه لایه نازک اکسید سیلیکون تحت عملیات گرمایشی قرار گرفت . تغییرات خواص اپتیکی این فیلم در دماهای 150،300 و 400 درجه مورد بررسی قرار داد شد .با طیف نگاری بوسیله طیف سنج امواج مرئی- فرابنفش وآنالیز دادها و همچنین طیف سنجی امواج مادون قرمز مشاهده گردید که با افزایش دما و کاهش سهم ماده آلی خواص اپتیکی لایه نازک دستخوش تغییر گردیده است.