ارائه یک مدل رانش_نفوذ برای محاسبه جریان تاریک آشکارساز p-i-n

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 901

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

STSEE01_001

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله:

دراین مقاله به شبیه سازی عددی جریان تاریک اشکارسازنوری ناهمگون InP/In0.53Ga0.47As/InP p-i-n با استفاده ازمدل رانش نفوذ می پردازیم ازروش گامل برای حل دسته معادلات پیوستگی غلظتحامل جریان حامل و پواسون کمک میگیریم شبیه سازی را درشرایط میدان الکتریکی ضعیف انجام میدهیم چون سازوکاریونیزاسیون برخوردی را لحاظ نکرده ایم نتایج بدست امده ازمدل ارایه شده را با داده های علمی معتبرمقایسه می کنیم تادرستی کارکرد آن را ارزیابی کنیم درادامه اثرتغییرضخامت ناحیه جذب و قابلیت تحرک حامل برجریان تاریک اشکارسازرابررسی می کنیم

کلیدواژه ها:

آشکارسازنوری PIN ، جریان تاریک ، مدل رانش ـ نفوذ ، InGaAs

نویسندگان

فاطمه روستایی

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک

محمد سروش

عضو هیات علمی گروه مهندسی برق دانشگاه شهید چمران اهواز

فاطمه حدادان

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Kwok K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices, Academic Press, ...
  • X. D. Wang , W. D. Hu , X. S. ...
  • InP/In0. 53Ga0 .47As/InP p-i-n photodiode ", Journal of Quantum Electronics ...
  • M. Soroosh, A. Zarifkar, M. Razaghi, and M. K. Moravvej- ...
  • D. L. Scharfetter and D. L. Gummel, "Large signal analysis ...
  • www. irnova. se/tech/qwip .htm ...
  • J. E. Sutherland and J. R. Hauser, "A computer analysis ...
  • M.S. Lundstrom and R.J. S c h u elke, :Numeric ...
  • نمایش کامل مراجع