بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 950
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STSEE01_005
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله دو مدل برای توصیف رفتار سرعت رانش حاملها در طول افزاره بر حسب بایاس اعمال شده بیان میشود. با شبیهسازی مدلها و مقایسهی آنها، تاثیر در نظر گرفتن اثر الکترون انتقالی وشیب منفی نمودار سرعت میدان برای بهبود مشخصهی جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی GaN / AlGaN بررسی شده است. همچنین شبیهسازی رفتار ترانزیستور با مقادیر مختلفمقاومت اتصالات در جهت بررسی تاثیر همزمان تحرک منفی حاملها و نوع روش ساخت و تعیین مشخصات فیزیکی افزارهها انجام شده است
کلیدواژه ها:
HFET ، AlGaN/GaN ، تحرک منفی حاملها ، تحرک وابسته به میدان ، گارالکترونی دوبعدی ، اثر الکترون انتقالی ، مقاومت اتصالات
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران عضو هیات علمی گروه مهندسی اهواز
تینا دقوقی
دانشجوی کارشناسی ارشد اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :