بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 950

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

STSEE01_005

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله:

در این مقاله دو مدل برای توصیف رفتار سرعت رانش حاملها در طول افزاره بر حسب بایاس اعمال شده بیان میشود. با شبیهسازی مدلها و مقایسهی آنها، تاثیر در نظر گرفتن اثر الکترون انتقالی وشیب منفی نمودار سرعت میدان برای بهبود مشخصهی جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی GaN / AlGaN بررسی شده است. همچنین شبیهسازی رفتار ترانزیستور با مقادیر مختلفمقاومت اتصالات در جهت بررسی تاثیر همزمان تحرک منفی حاملها و نوع روش ساخت و تعیین مشخصات فیزیکی افزارهها انجام شده است

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهید چمران عضو هیات علمی گروه مهندسی اهواز

تینا دقوقی

دانشجوی کارشناسی ارشد اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • کوثریان، ‌عبدالنبی، دقوقی _ تینا، "شبیه‌سازی [13] رفتارترانزیستورا ثرمید _ ... [مقاله کنفرانسی]
  • F. Mohammed, L. Wang, H. Koo, and I. my-p erformance ...
  • _ of steady-state velocity overshoot"20) ...
  • Michael A. Briere"GaN based Power Devices" RPI CFES Conference January ...
  • . M. Asifkhan, J. N. Kuznia , D. T. Olson, ...
  • S. Yoshida, , J. Li, T. Wada, H. Takehara et ...
  • E. Cho, "GaN based hetrostructure growth and application to electronic ...
  • M. Asifkhan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia and D. T. ...
  • J.W. Johnson, E.L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, ...
  • S. Yoshida, J. Li, H. Takehara, H. ...
  • S. Wood, R. Pengelly, D. Farrell, C. Platis and J. ...
  • S.Nakamura and G. Fasol (eds), The Blue Laser Diode, S ...
  • M. A. Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. ...
  • Temperature Variation Effects in Nano- MODFETs Based on Simulation Study" ...
  • B. K. Ridley, "coupled surface and channel transport in ...
  • se _ iconductorhetro structures"J .Appl.Phys. vol.9 0, no.1 2pp.6 135-6139, ...
  • D. Hou, G. L. Bilbro , and R. J. Trew ...
  • A. Grebene and S Chandh i, "general theory for pinched ...
  • J. D. Albercht, R. P. Wang, P.P. Ruden, M. Farahmand, ...
  • _ e trostructures, ". Appl. Phys., vol. 101, no. 3, ...
  • J. W. Chung, E. L. Piner, and T. Palacios, *N-face ...
  • نمایش کامل مراجع