بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن

  عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران عضو هیات علمی گروه مهندسی اهواز
تینا دقوقی - دانشجوی کارشناسی ارشد اهواز

چکیده مقاله:

در این مقاله دو مدل برای توصیف رفتار سرعت رانش حاملها در طول افزاره بر حسب بایاس اعمال شده بیان میشود. با شبیهسازی مدلها و مقایسهی آنها، تاثیر در نظر گرفتن اثر الکترون انتقالی وشیب منفی نمودار سرعت میدان برای بهبود مشخصهی جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی GaN / AlGaN بررسی شده است. همچنین شبیهسازی رفتار ترانزیستور با مقادیر مختلفمقاومت اتصالات در جهت بررسی تاثیر همزمان تحرک منفی حاملها و نوع روش ساخت و تعیین مشخصات فیزیکی افزارهها انجام شده است

کلیدواژه‌ها:

HFET ، AlGaN/GaN ، تحرک منفی حاملها ،تحرک وابسته به میدان،گارالکترونی دوبعدی،اثر الکترون انتقالی،مقاومت اتصالات

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-STSEE01-STSEE01_005.html
کد COI مقاله: STSEE01_005

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (کوثریان, عبدالنبی و تینا دقوقی، ۱۳۹۲)
برای بار دوم به بعد: (کوثریان و دقوقی، ۱۳۹۲)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

Michael A. Briere"GaN based Power Devices" RPI CFES Conference January ...

. M. Asifkhan, J. N. Kuznia , D. T. Olson, ...

S. Yoshida, , J. Li, T. Wada, H. Takehara et ...

E. Cho, "GaN based hetrostructure growth and application to electronic ...

M. Asifkhan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia and D. T. ...

J.W. Johnson, E.L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, ...

S. Yoshida, J. Li, H. Takehara, H. ...

S. Wood, R. Pengelly, D. Farrell, C. Platis and J. ...

S.Nakamura and G. Fasol (eds), The Blue Laser Diode, S ...

M. A. Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. ...

Temperature Variation Effects in Nano- MODFETs Based on Simulation Study" ...

کوثریان، ‌عبدالنبی، دقوقی _ تینا، "شبیه‌سازی [۱۳] رفتارترانزیستورا ثرمید _ ... [مقاله کنفرانسی]

B. K. Ridley, "coupled surface and channel transport in ...

se _ iconductorhetro structures"J .Appl.Phys. vol.9 0, no.1 2pp.6 135-6139, ...

D. Hou, G. L. Bilbro , and R. J. Trew ...

A. Grebene and S Chandh i, "general theory for pinched ...

J. D. Albercht, R. P. Wang, P.P. Ruden, M. Farahmand, ...

F. Mohammed, L. Wang, H. Koo, and I. my-p erformance ...

_ e trostructures, ". Appl. Phys., vol. 101, no. 3, ...

J. W. Chung, E. L. Piner, and T. Palacios, *N-face ...