طراحی یک تقویت کننده توان CMOS غیر خطی با بازده بالادر فرکانس MHz1800

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 489

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

TDCONF01_195

تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394

چکیده مقاله:

با توجه به ضرورت استفاده از باتری ها در سیستم های قابل حمل و نیاز روز افزون به ان ها، طراحی بلوک هایی با بازده بالا برای افزایش طول عمر باتری ضروری به نظر می رسد. پرمصرف ترین بلوک فرستنده، تقویت کننده توان می باشد. مدار پیشنهادی با استفاده از نرم افزار ADS Agilentبر مبنای تکنولوژی µmμm 0.18 TSMC RF CMOS و ولتاژ تغذیه 3/3 ولت در سطح ترانزیستور شبیه سازی شده است. تقویت کننده توان پیشنهادی ازنوع کلاسF که در فرکانس MHz1800 با بازده 60درصد و توان خروجی dBm30 (1 W) طراحی شده است.

نویسندگان

ندا باباپور

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز، گروه برق الکترونیک، تبریز، ایران

جواد جاویدان

دانشکده ی فنی و مهندسی دانشگاه محقق اردبیلی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A F. Aref, R. Negra (2012), _ Fully Integrated Adaptive ...
  • D. Kang, D. Kim, J. Choi, J. Kim, Y. Cho, ...
  • U. Kim, S. Kang, J. Woo, Y. Kwon, and Junghyun ...
  • Z. Liu, J. Wang (2011), _ reconfigurable Multi-band CMOS Power ...
  • A, Kawai. K, Furuta. T, COkazaki. H, Oka. S, Narahashi. ...
  • نمایش کامل مراجع